台湾专利TW201319303A 雙區氣體注射噴嘴

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专利摘要:
本發明一般係提供用於處理一基板之設備及方法。更特定的說，本發明提供獲得製程氣體的期望分佈之設備及方法。本發明之一實施例係提供一種用於處理一基板的設備，該設備包括一注射噴嘴，且該注射噴嘴具有：一第一流體路徑，包括配置以接收一流體輸入的一第一入口，以及與該第一入口連接的複數個第一注射口，其中該些第一注射口係配置以將來自該第一入口的一流體導引朝向一製程容積的一第一區域；以及一第二流體路徑，包括配置以接收一流體輸入的一第二入口，以及與該第二入口連接的複數個第二注射口，其中該些第二注射口係配置以將來自該第二入口的一流體導引朝向該製程容積的一第二區域。
公开号:TW201319303A
申请号:TW101151045
申请日:2008-12-19
公开日:2013-05-16
发明作者:Wei Liu；Johanes F Swenberg；Hanh D Nguyen；Son T Nguyen；Roger Curtis；Philip A Bottini
申请人:Applied Materials Inc；
IPC主号:H01J37-00

专利说明:
雙區氣體注射噴嘴
本發明之實施例一般係涉及用於處理半導體基板之方法及設備。更特定的說，本發明之實施例提供使用感應耦合電漿技術以處理半導體基板而具有增進之均一性的方法及設備。
用於製造半導體微電子電路之電漿反應器可以利用RF(射頻)感應耦合場以維持由製程氣體所形成之電漿。習知之感應耦合電漿反應器一般包括：具有一側壁及一頂壁之真空腔室、位於腔室內並通常面向頂壁之工件支撐臺座、能夠將製程氣體供應至腔室內之氣體入口、以及位於頂壁上方之一或多個線圈天線。該一或多個線圈天線通常圍繞著一大致垂直於頂壁之對稱軸而纏繞。RF電漿源功率供應器係連接跨越每一個線圈天線。有時，反應器可包括一內部線圈天線，其位於頂壁上方，並被外部線圈天線所環繞。
一般來說，高頻RF源功率訊號係施加至鄰近於反應器腔室頂壁之該一或多個線圈天線。設置在腔室中之臺座上的基板具有施加至其之一偏壓RF訊號。施加至線圈天線之訊號的功率主要決定腔室內的電漿離子密度，同時施加至基板的偏壓訊號之功率決定晶圓表面之離子能量。
「內部」及「外部」線圈天線之特點在於線圈係徑向或平行分佈(而非受限於個別不相關的半徑)，以使其徑向位置因而散佈。電漿離子分佈之徑向分佈係藉由改變該內部及外部天線間所施加之射頻功率之相對分配來變化。不過，隨著晶圓變得更大及裝置特徵結構(feature)變得更小，欲在跨越整個晶圓表面保持均一的電漿離子密度變得更為困難。
「第1圖」概略說明典型的感應耦合電漿反應器所遭遇之非均一性問題。第1圖顯示在一典型的感應耦合電漿反應器中執行氮化製程後，跨越基板之氮劑量的結果。該氮化製程係執行於形成在基板上之二氧化矽閘極介電薄膜。該基板係放置在能夠產生感應耦合電漿之真空腔室中。氮氣流入該電漿腔室，且當氣流繼續時係擊發(strike)電漿。在氮電漿中之氮基及/或氮離子接著擴散及/或轟擊至該二氧化矽閘極介電薄膜中。
「第1圖」顯示在感應耦合電漿反應器中執行氮化後，沿著一300 mm基板之直徑的氮劑量(Ndose)之直徑掃瞄圖。「第1圖」之直徑掃瞄圖具有M形狀，其繪示在接近基板中央處具有低劑量。M形狀之中央下降處係主要受到接近中央區域之氣體供應的影響。
因此，需要一種使用感應耦合電漿技術以處理半導體基板而具有增進之均一性的方法及設備。
本發明一般係提供用於處理一基板之設備及方法。更特定的說，本發明提供在感應電漿反應器中獲得製程氣體的期望分佈之設備及方法。
本發明之一實施例係提供一種用於處理一基板的設備，該設備包括：一腔室主體，係界定一製程容積(process volume)；以及一注射噴嘴組件，係至少部分設置在該製程容積中。該注射噴嘴組件具有：一第一流體路徑，包括配置以接收一流體輸入的一第一入口，以及與該第一入口連接的複數個第一注射口，其中該些第一注射口係配置以將來自該第一入口的一流體導引朝向該製程容積的一第一區域；以及一第二流體路徑，包括配置以接收一流體輸入的一第二入口，以及與該第二入口連接的複數個第二注射口，其中該些第二注射口係配置以將來自該第二入口的一流體導引朝向該製程容積的一第二區域。
本發明之另一實施例係提供一種用於處理一基板的設備，該設備包括：一腔室主體，係界定一製程容積；一基板臺座，係設置在該製程容積中；以及一氣體供應組件，係與該製程容積為流體連通。其中該氣體供應組件包括：一噴嘴，係實質設置在該基板臺座之一中央的上方，其中該噴嘴具有複數個第一注射口以及複數個第二注射口，該些第一注射口係配置以將一製程氣體導引至該基板臺座上方之一中央區域，該些第二注射口係配置以將該製程氣體導引至該基板臺座上方之一邊緣區域；以及一流動控制單元，係配置以調整流至該些第一注射口之該製程氣體與流至該些第二注射口之該製程氣體的一比例。
本發明之又一實施例係提供一種用於處理一基板的方法，包括：提供一界定一製程容積的製程腔室；將該基板設置在該製程容積中；以及使一製程氣體流經一注射組件而至該製程容積，其中該使該製程氣體流經一注射組件之步驟包括：使該製程氣體的一第一部分流經複數個第一注射口而至該製程容積之一第一區域；使該製程氣體的一第二部分流經複數個第二注射口而至該製程容積之一第二區域；以及調整該第一部分與該第二部分的一比例，以達到該製程氣體在該製程容積內的一期望分佈。
本發明一般係提供使用感應耦合電漿以處理半導體基板之設備及方法。本發明之實施例係提供感應耦合電漿反應器，該反應器具有提供改善之均一性的特徵結構。更特定的說，本發明之感應耦合電漿反應器包括一氣體供應組件，該組件具有可獨立調整的氣體注射口。
「第2圖」係概要繪示根據本發明之電漿反應器100的剖面側視圖。電漿反應器100一般包括一反應器腔室101以及設置在反應器腔室101上方的天線組件102。天線組件102係配置以在反應器腔室101中產生感應耦合電漿。
反應器腔室101具有製程容積103，且該製程容積103係由圓柱形側壁105及平坦的頂壁110所界定。基板支撐臺座115係配置在反應器腔室101內部，且定向為面對平坦的頂壁110之關係，及置中在腔室之對稱軸上。基板支撐臺座115係配置以在其上支撐基板106。基板支撐臺座115包含支撐主體117，該支撐主體117係配置以在製程期間承接及支撐基板106。在一實施例中，基板支撐臺座115具有環繞於基板106之邊緣表面118。邊緣表面118及基板106間之相對高度係配置以調整接近基板106邊緣之處理結果。
複數個支撐銷116係可移動地設置在基板支撐臺座115上，並配置以協助基板傳送。真空幫浦120與反應器腔室101之真空口121配合。狹縫閥口104係形成在圓柱形側壁105上，以允許基板傳送進出製程容積103。
製程氣體供應器125透過氣體入口130供應製程氣體至製程容積103中。氣體入口130可置中設置在平坦的頂壁110上，並具有複數個氣體注入口，該些氣體注入口係引導氣體至製程容積103之不同區域。在一實施例中，氣體入口130可配置為供應可個別調整之製程氣體流至製程容積103之不同區域，以在製程容積103內達到所需的製程氣體分佈。
天線組件102包含圓柱形側壁126，該側壁126係設置在反應器腔室之平坦的頂壁110上。線圈安裝板127係可移動地設置在側壁126上。側壁126、線圈安裝板127、及平坦的頂壁110係大致界定出線圈容積135。複數個線圈吊架132係在線圈容積135中由線圈安裝板127延伸。複數個線圈吊架132係配置以在線圈容積135中定位一或多個線圈天線。
在一實施例中，內部線圈131及外部線圈129係配置在線圈容積135中，以在製程期間保持跨越整個基板表面之均一的電漿離子密度。在一實施例中，內部線圈131具有約5英吋的直徑，而外部線圈129具有約20英吋的直徑。線圈天線之不同設計的詳細敘述可在發明名稱為「具有對稱平行導體線圈天線之電漿反應器(Plasma Reactor Having a Symmetic Parallel Conductor Coil Antenna)」之美國專利第6,685,798號中找到，其併入於此以供參照。
內部線圈131及外部線圈129之各者可為螺線管多導體交錯(interleaved)線圈天線，其界定一垂直的直圓柱或虛構的圓柱形表面或軌跡，且其對稱軸實質上與反應器腔室101之對稱軸一致。係期望內部線圈131及外部線圈129之軸與欲在反應器腔室101中處理之基板106之對稱軸一致。不過，內部線圈131、外部線圈129、反應器腔室101、及基板106間之對準易受偏斜所導致之誤差的影響。線圈安裝板127係可移動地放置在側壁126上，以使內部線圈131及外部線圈129可共同或獨立地相對於反應器腔室101傾斜。在一實施例中，可以藉由使放置在線圈安裝板127及側壁126間之傾斜環128旋轉，而調整線圈安裝板127。傾斜環128具有可變厚度，其使得能夠進行線圈安裝板127之傾斜安裝。
電漿反應器100更包含功率組件134，該功率組件134係配置以提供電源給內部線圈131及外部線圈129。功率組件134通常包含射頻功率供應器及匹配網路。在一實施例中，功率組件134可放置在線圈安裝板127上方。
電漿反應器100之更詳細的敘述可在2007年12月19日提出申請之發明名稱為「使用感應耦合電漿技術處理基板之設備及方法(Apparatus and Method for Processing a Substrate Using Inductively Coupled Plasma Technology)」之美國專利申請案第11/960,111號中找到，其併入於此以供參照。
「第3圖」係概要繪示根據本發明之一實施例而具有一注射組件的電漿反應器400之部分剖面側視圖。
電漿反應器400可類似於「第2圖」的電漿反應器100。電漿反應器400具有由側壁401、支撐臺座402及蓋405所界定的製程容積403。在一實施例中，支撐環404係耦接於側壁401及蓋405之間。在一實施例中，製程容積403可為實質圓柱形，且配置以在其中處理圓形基板。
氣體供應組件410係與製程容積403為流體連通，並且至少部分設置在製程容積403內。氣體供應組件410係配置以將來自氣體源416的製程氣體供應至製程容積403。在製程過程中，基板406係設置在支撐臺座402上，並使其頂表面406a暴露於製程容積403中的製程氣體。氣體供應組件410係配置以將製程氣體以期望之分佈(例如，均一之分佈)而供應至製程容積403。在一實施例中，氣體供應組件410係配置以達到期望之分佈，其係藉由將製程氣體注射至至少二製程區域，並且調整在不同製程區域之間的流速比例。
氣體供應組件410包括一圓柱形之噴嘴412。噴嘴412係透過形成在接近蓋405之中央的孔洞405a而部分設置在製程容積403中。噴嘴412可具有複數個注射口，該些注射口係配置以將氣流導引朝向製程容積403的不同區域。
噴嘴412具有複數個中央注射口422，該些中央注射口422係配置以將製程氣體導引朝向製程容積403的中央區域。在一實施例中，複數個中央注射口422為具有垂直於基板406之開口的通道，並且配置以將一氣流沿著箭頭424所示之方向注射。
噴嘴412具有複數個外部注射口421，且該些外部注射口421係配置以將製程氣體導引朝向製程容積403的外部區域。在一實施例中，複數個外部注射口421為具有平行於基板406且環繞噴嘴412周圍之開口的通道，並且配置以將一氣流沿著箭頭425所示之方向注射。
氣體供應組件410更包括一耦接至噴嘴412的供給板(feed plate)411。供給板411係配置以接收二或多個輸入流，並將該些輸入流導引至噴嘴412。
「第4A~4B圖」係概要繪示噴嘴412及供給板411的剖面視圖。參照「第4A圖」，供給板411具有二接收通道413a、414a，且該些接收通道413a、414a係配置以連接至輸入流。接收通道414a係朝內部通道419開啟，而該內部通道419為形成在接近供給板411之中央的凹部。接收通道413a係朝外部通道420開啟，而該外部通道420為環繞該內部通道419之圓形凹部。
參照「第4B圖」，當供給板411耦接至噴嘴412，內部通道419係與噴嘴412的中央凹部423為流體連通。中央凹部423係連接至複數個中央注射口422。因此，供給板411與噴嘴412形成一個將來自接收通道413a之流體傳送至製程容積403之中央區域的通道。
類似地，外部通道420係與複數個外部注射口421為流體連通。因此，供給板411與噴嘴412形成一個將來自接收通道414a之流體傳送至製程容積403之外部區域的通道。
在一實施例中，在噴嘴412周圍係平均地分佈有8個外部注射口421，而噴嘴412的底部係形成有7個中央注射口422。然而，注射口的其他配置係取決於製程需求而為可預期的。
噴嘴412與供給板411係由對於在電漿反應器400中執行之製程的化學物質及溫度需求為適合之材料製成的。在一實施例中，噴嘴412係由石英製成。蓋405亦可以由石英製成。在一實施例中，供給板411係由陶瓷製成。
往回參照「第3圖」，噴嘴412及供給板411可以藉由上夾鉗件418及下夾鉗件417而緊固在一起。
氣體供應組件410更包括一流動控制單元415。該流動控制單元415具有一連接至氣體源416的輸入管路427以及連接至供給板411的二輸出管路413、414。流動控制單元415可包括一可調整的分流器(splitter)，該分流器係配置以將來自輸入管路427的進入流(incoming flow)以一可變比例分離至輸出管路413、414。流動控制單元415亦可控制流至製程容積403之總流速。在一實施例中，流動控制單元415可根據來自系統控制器426之控制訊號而分離該進入流，並根據來自系統控制器426的控制訊號來調整總流速。
在製程過程中，氣體源416提供製程氣體至流動控制單元415的輸入管路427。流動控制單元415接著根據製程需求(例如以來自系統控制器426之控制訊號的形式)而將進入流導引至輸出管路413、414之一或二者。來自輸出管路413、414之製程氣體接著進入形成在供給板411與噴嘴412中的通道。噴嘴412接著將製程氣體注射至製程容積403的不同區域，並與基板406接觸。一般來說，製程氣體由製程容積403的中央(噴嘴412設置處)流至製程容積403的邊緣，並透過抽氣系統408的協助而離開製程容積403。
使用氣體供應組件410而可控制製程氣體在製程容積403中的分佈，也因而控制基板406的表面區域之暴露程度。可單獨地或結合地使用至少三個方法以達到期望的氣體分佈。首先，可調整噴嘴412的注射口之方向、數量及尺寸，以將製程氣體導引朝向製程容積403的不同區域。第二，可調整不同區域之間的流速比例以達到期望的分佈。第三，可調整總流速以達到一期望分佈。
「第5A~5C圖」顯示根據本發明之一實施例的使用具有注射組件之電漿反應器的氮化製程結果之圖表。「第5A~5C圖」中的結果說明了使用氣體供應組件(類似於「第3圖」之氣體供應組件410)之流動調整所獲得之製程腔室在氮化製程期間的不同氣體分佈。
氮化製程通常執行在形成於基板上之二氧化矽閘極介電薄膜。基板係設置在電漿反應器中(例如「第2圖」之電漿反應器100)。氮氣係流至電漿腔室，並在氮氣持續流動的同時，藉由施加RF功率至線圈組件(例如「第2圖」的線圈組件129、131)以擊發電漿。電漿會使氮發生離子化，而經過離子化的氮會擴散進入二氧化矽閘極介電薄膜中。
「第5A圖」顯示在氮化製程中當製程氣體僅朝向製程容積之中央區域供應時，四個製程的氮劑量結果。在各個製程過程中，流動控制單元415係將100%的進入流導引至輸出管路414(該輸出管路414係導向複數個中央注射口422)，則所有的製程氣體會沿著箭頭424所示之方向而進入製程容積403。當流動控制單元415並未將任何的進入流導引至輸出管路413時(該輸出管路413係導向複數個外部注射口421)，則無製程氣體沿著箭頭425所示之方向進入製程容積403。四個製程之總流速分別為100 sccm、300 sccm、500 sccm及700 sccm。亦可使用流動控制單元415來達成流速之改變。
「第5A圖」之結果顯示當僅由中央注射口供應製程氣體時，基板的中央區域相較於基板的邊緣區域而更加暴露於製程氣體。中央區域與邊緣區域之差異程度隨著總流速而增加。
「第5B圖」顯示在氮化製程中當製程氣體僅朝向製程容積之邊緣區域供應時，三個製程的氮劑量結果。在各個製程過程中，流動控制單元415並未將任何的進入流導引至輸出管路414(該輸出管路414係導向複數個中央注射口422)，則無製程氣體沿著箭頭424所示之方向進入製程容積403。同時，流動控制單元415係將100%的進入流導引至輸出管路413(該輸出管路413係導向複數個外部注射口421)，則所有的製程氣體會沿著箭頭425所示之方向而進入製程容積403。三個製程之總流速分別為100 sccm、300 sccm及500 sccm。亦可使用流動控制單元415來達成流速之改變。
「第5B圖」之結果顯示當僅由邊緣注射口供應製程氣體時，基板的中央區域相較於基板的邊緣區域而較少暴露於製程氣體。中央區域與邊緣區域之差異程度隨著總流速而增加。
「第5C圖」顯示在氮化製程中當製程氣體朝向製程容積之中央區域及邊緣區域供應時，七個製程的氮劑量結果。七個製程的總流速係維持在400 sccm，但流速的比例改變。
「第5C圖」中的結果顯示可藉由調整不同區域之流速比例而可調整中央區域與邊緣區域之間的氣體分佈差異程度。
「第5A~5C圖」說明可以藉由調整朝向不同區域注射之氣體的流速比例，而可達成期望的氣體分佈(例如均一的氣體分佈)，並且當總流速改變時，所獲得的比例不同。因此，可以藉由調整比例、總流速或上述兩者而達到期望的氣體分佈。
惟本發明雖以較佳實施例說明如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技術人員，在不脫離本發明的精神和範圍內所作的更動與潤飾，仍應屬本發明的技術範疇。
100‧‧‧電漿反應器
101‧‧‧反應器腔室
102‧‧‧天線組件
103‧‧‧製程容積
104‧‧‧狹縫閥口
105‧‧‧側壁
106‧‧‧基板
110‧‧‧頂壁
115‧‧‧支撐臺座
116‧‧‧支撐銷
117‧‧‧支撐主體
118‧‧‧邊緣表面
120‧‧‧真空幫浦
121‧‧‧真空口
125‧‧‧供應器
126‧‧‧側壁
127‧‧‧線圈安裝板
128‧‧‧傾斜環
129‧‧‧外部線圈
130‧‧‧氣體入口
131‧‧‧內部線圈
132‧‧‧線圈吊架
134‧‧‧功率組件
135‧‧‧線圈容積
400‧‧‧電漿反應器
401‧‧‧側壁
402‧‧‧支撐臺座
403‧‧‧製程容積
404‧‧‧支撐環
405‧‧‧蓋
405a‧‧‧孔洞
406‧‧‧基板
406a‧‧‧頂表面
408‧‧‧抽氣系統
410‧‧‧氣體供應組件
411‧‧‧供給板
412‧‧‧噴嘴
413,414‧‧‧輸出管路
413a,414a‧‧‧接收通道
415‧‧‧流動控制單元
416‧‧‧氣體源
417‧‧‧下夾鉗件
418‧‧‧上夾鉗件
419‧‧‧內部通道
420‧‧‧外部通道
421‧‧‧外部注射口
422‧‧‧中央注射口
423‧‧‧中央凹部
424,425‧‧‧箭頭
426‧‧‧控制器
427‧‧‧輸入管路
為讓本發明之上述特徵更明顯易懂，可配合參考實施例說明，其部分乃繪示如附圖式。須注意的是，雖然所附圖式揭露本發明特定實施例，但其並非用以限定本發明之精神與範圍，任何熟習此技藝者，當可作各種之更動與潤飾而得等效實施例。
第1圖(習知技藝)，概要繪示典型之感應耦合電漿反應器所遭遇之非均一性問題。
第2圖，概要繪示根據本發明之一實施例的電漿反應器之剖面側視圖。
第3圖，概要繪示根據本發明之一實施例的具有注射組件之電漿反應器的部分剖面側視圖。
第4A圖，概要繪示根據本發明之一實施例的噴嘴之剖面頂視圖。
第4B圖，概要繪示第4A圖之噴嘴的剖面側視圖。
第5A圖~第5C圖，為顯示使用根據本發明之一實施例的具有注射組件之電漿反應器的氮化製程之結果的圖表。
為便於了解，圖式中相同的元件符號表示相同的元件。某一實施例採用的元件當不需特別詳述而可應用到其他實施例。
400‧‧‧電漿反應器
401‧‧‧側壁
402‧‧‧支撐臺座
403‧‧‧製程容積
404‧‧‧支撐環
405‧‧‧蓋
405a‧‧‧孔洞
406‧‧‧基板
406a‧‧‧頂表面
408‧‧‧抽氣系統
410‧‧‧氣體供應組件
411‧‧‧供給板
412‧‧‧噴嘴
413,414‧‧‧輸出管路
415‧‧‧流動控制單元
416‧‧‧氣體源
417‧‧‧下夾鉗件
418‧‧‧上夾鉗件
419‧‧‧內部通道
420‧‧‧外部通道
421‧‧‧外部注射口
422‧‧‧中央注射口
424,425‧‧‧箭頭
426‧‧‧控制器
427‧‧‧輸入管路

权利要求:
Claims (20)
[1] 一種用於處理一基板的設備，包括：一腔室主體，係界定一製程容積(process volume)；以及一注射噴嘴組件，係至少部分設置在該製程容積中，該注射噴嘴組件具有：一第一流體路徑，包括配置以接收一流體輸入的一第一入口，以及與該第一入口連接的複數個第一注射口，其中該些第一注射口係配置以將來自該第一入口的一流體導引朝向該製程容積的一第一區域；以及一第二流體路徑，包括配置以接收一流體輸入的一第二入口，以及與該第二入口連接的複數個第二注射口，其中該些第二注射口係配置以將來自該第二入口的一流體導引朝向該製程容積的一第二區域。
[2] 如申請專利範圍第1項所述之設備，更包括一流動控制單元，且該流動控制單元係連接於一流體源與該注射噴嘴組件之該第一及第二入口之間。
[3] 如申請專利範圍第2項所述之設備，其中該流動控制單元包括一分流器(flow splitter)，該分流器係配置以將一進入流(incoming flow)分離成為一第一輸出流與一第二輸出流，其中該第一輸出流與該第二輸出流的比例係可調整的。
[4] 如申請專利範圍第3項所述之設備，其中該分流器包括：一入口，係配置以接收該進入流，其中該入口係連接至該流體源；一第一出口，係配置以讓該第一輸出流通過；以及一第二出口，係配置以讓該第二輸出流通過，其中該第一出口係連接至該注射噴嘴組件之該第一入口，且該第二出口係連接至該注射噴嘴組件的該第二入口。
[5] 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該注射噴嘴組件包括：一供給板(feeding plate)，其中該供給板具有形成於其中的一第一通道及一第二通道，且該第一通道係連接至該第一入口，該第二通道係連接至該第二入口；以及一噴嘴插入件(insert)，具有形成於其中的該些第一注射口以及該些第二注射口，其中該噴嘴插入件係連接至該供給板，藉此，該第一通道與該些第一注射口為流體連通，該第二通道與該些第二注射口為流體連通。
[6] 如申請專利範圍第5項所述之設備，其中該噴嘴插入件係設置在該製程容積中，並且由石英製成。
[7] 如申請專利範圍第5項所述之設備，其中該噴嘴插入件具有一實質圓柱形主體，該些第一注射口為在接近一中央區域所形成的且朝該噴嘴插入件之一底部開啟的複數個孔洞，以及該些第二注射口為朝該噴嘴插入件之一側壁開啟的複數個孔洞。
[8] 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該注射噴嘴組件係設置在接近該製程容積之一中央處，該製程容積的該第一區域係接近該製程容積的該中央，且該製程容積的該第二區域為圍繞該第一區域的一外部區域。
[9] 一種用於處理一基板的設備，包括：一腔室主體，係界定一製程容積；一基板臺座，係設置在該製程容積中；以及一氣體供應組件，係與該製程容積為流體連通，其中該氣體供應組件包括：一噴嘴，係實質設置在該基板臺座之一中央的上方，其中該噴嘴具有複數個第一注射口以及複數個第二注射口，該些第一注射口係配置以將一製程氣體導引至該基板臺座上方之一中央區域，該些第二注射口係配置以將該製程氣體導引至該基板臺座上方之一邊緣區域；以及一流動控制單元，係配置以調整流至該些第一注射口之該製程氣體與流至該些第二注射口之該製程氣體的一比例。
[10] 如申請專利範圍第9項所述之設備，其中該些第一注射口係經導向而實質垂直於該基板臺座之一頂表面，以及該些第二注射口係經導向而實質平行於該基板臺座之該頂表面。
[11] 如申請專利範圍第9項所述之設備，其中該噴嘴係由石英製成。
[12] 如申請專利範圍第9項所述之設備，其中該氣體供應組件更包括一連接於該流動控制單元與該噴嘴之間的供給板，其中該供給板具有形成於其中之一第一流動通道以及一第二流動通道，該第一流動通道係與該噴嘴的該些第一注射口為流體連通，該第二流動通道係與該些第二注射口為流體連通。
[13] 如申請專利範圍第12項所述之設備，其中該供給板係由陶瓷製成。
[14] 如申請專利範圍第9項所述之設備，更包括一線圈組件，該線圈組件係設置在該製程容積的外側，並配置以在該製程容積內產生一電漿。
[15] 如申請專利範圍第9項所述之設備，其中該流動控制單元包括一分流器，該分流器係配置以將一進入流分離成為一第一輸出流與一第二輸出流，藉此，該第一輸出流與該第二輸出流的比例為可調整的。
[16] 一種用於處理一基板的方法，包括：提供一界定一製程容積的製程腔室；將該基板設置在該製程容積中；以及使一製程氣體流經一注射組件而至該製程容積，其中該使該製程氣體流經一注射組件之步驟包括：使該製程氣體的一第一部分流經複數個第一注射口而至該製程容積之一第一區域；使該製程氣體的一第二部分流經複數個第二注射口而至該製程容積之一第二區域；以及調整該第一部分與該第二部分的一比例，以達到該製程氣體在該製程容積內的一期望分佈。
[17] 如申請專利範圍第16項所述之方法，更包括在該製程容積內產生該製程氣體的一電漿。
[18] 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該使該製程氣體流經一注射組件之步驟更包括使用一可控制的分流器，以將該製程氣體分離成為該第一部分及該第二部分。
[19] 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該注射組件係設置在進行製程中的該基板之一中央上方，該些第一注射口係經導向而垂直於該基板並接近該中央，以及該些第二注射口係經導向而以一徑向方式平行於該基板。
[20] 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該使該製程氣體流經一注射組件之步驟更包括調整該製程氣體的一總流量以達到該製程氣體的該期望分佈。

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同族专利:

公开号 | 公开日

WO2009085810A1|2009-07-09|

TWI502093B|2015-10-01|

US20120164845A1|2012-06-28|

US20090159424A1|2009-06-25|

US8137463B2|2012-03-20|

TWI394861B|2013-05-01|

TW200942637A|2009-10-16|

引用文献:

公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题

CN107993914A|2016-10-26|2018-05-04|中微半导体设备有限公司|气体流量调节装置及其调节方法|US1968348A|1932-07-27|1934-07-31|Placide Henry|Nozzle|

US3352492A|1960-08-02|1967-11-14|Powder Melting Corp|Method of and apparatus for depositing metal powder|

US3592575A|1969-07-25|1971-07-13|Forney International|Burner nozzle tip|

US3745969A|1971-04-19|1973-07-17|Motorola Inc|Offset top ejection vapor deposition apparatus|

US3881863A|1973-07-09|1975-05-06|Aero Flow Dynamics Inc The Win|Dual fuel burner|

US3995811A|1975-05-22|1976-12-07|Eutectic Corporation|Nozzle for depositing metal powder by spraying|

DE2608417C3|1976-03-01|1981-02-12|Degussa Ag, 6000 Frankfurt|Verfahren und vorrichtung zur herstellung von russ|

US4080927A|1976-10-06|1978-03-28|General Atomic Company|Fluidized bed-gas coater apparatus|

US4069974A|1976-12-29|1978-01-24|Ford Motor Company|Electrostatic powder coating apparatus|

US4293755A|1978-10-23|1981-10-06|General Instrument Corporation|Method of cooling induction-heated vapor deposition apparatus and cooling apparatus therefor|

US4313721A|1979-03-15|1982-02-02|Joseph Henriques|Oil burner diffuser|

FR2504033B1|1981-04-17|1983-07-01|Sames Sa||

US4389229A|1981-10-01|1983-06-21|Western Electric Co., Inc.|Methods and apparatus for fabricating a lightguide preform|

US4512841A|1984-04-02|1985-04-23|International Business Machines Corporation|RF Coupling techniques|

US4730775A|1986-01-10|1988-03-15|Afa Division Of Waynesboro Textiles, Inc.|Two piece foamer nozzle assembly|

US4854263B1|1987-08-14|1997-06-17|Applied Materials Inc|Inlet manifold and methods for increasing gas dissociation and for PECVD of dielectric films|

US5134965A|1989-06-16|1992-08-04|Hitachi, Ltd.|Processing apparatus and method for plasma processing|

US6095083A|1991-06-27|2000-08-01|Applied Materiels, Inc.|Vacuum processing chamber having multi-mode access|

US6165311A|1991-06-27|2000-12-26|Applied Materials, Inc.|Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna|

FR2653633B1|1989-10-19|1991-12-20|Commissariat Energie Atomique|Dispositif de traitement chimique assiste par un plasma de diffusion.|

US5232164A|1990-05-09|1993-08-03|Resch D R|Precisely adjustable atomizer|

DE4106563C2|1991-03-01|1999-06-02|Bosch Gmbh Robert|Vorrichtung zur elektrostatischen Zerstäubung von Flüssigkeiten|

DE4106770C2|1991-03-04|1996-10-17|Leybold Ag|Verrichtung zum reaktiven Beschichten eines Substrats|

JP3375646B2|1991-05-31|2003-02-10|株式会社日立製作所|プラズマ処理装置|

US6054013A|1996-02-02|2000-04-25|Applied Materials, Inc.|Parallel plate electrode plasma reactor having an inductive antenna and adjustable radial distribution of plasma ion density|

US6024826A|1996-05-13|2000-02-15|Applied Materials, Inc.|Plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material|

BR9204887A|1991-12-23|1993-06-29|Comision Nac Energ Atom|Processo para formar sobre um substrato solido uma pelicula de propriedade similares as do diamante,os corpos solidos assim revestidos e a pelicula revestida assim obtida|

US5567267A|1992-11-20|1996-10-22|Tokyo Electron Limited|Method of controlling temperature of susceptor|

US5453124A|1992-12-30|1995-09-26|Texas Instruments Incorporated|Programmable multizone gas injector for single-wafer semiconductor processing equipment|

US5614055A|1993-08-27|1997-03-25|Applied Materials, Inc.|High density plasma CVD and etching reactor|

US5522934A|1994-04-26|1996-06-04|Tokyo Electron Limited|Plasma processing apparatus using vertical gas inlets one on top of another|

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US5556521A|1995-03-24|1996-09-17|Sony Corporation|Sputter etching apparatus with plasma source having a dielectric pocket and contoured plasma source|

US5888413A|1995-06-06|1999-03-30|Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.|Plasma processing method and apparatus|

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US5772771A|1995-12-13|1998-06-30|Applied Materials, Inc.|Deposition chamber for improved deposition thickness uniformity|

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US6106663A|1998-06-19|2000-08-22|Lam Research Corporation|Semiconductor process chamber electrode|

US6143078A|1998-11-13|2000-11-07|Applied Materials, Inc.|Gas distribution system for a CVD processing chamber|

US6229264B1|1999-03-31|2001-05-08|Lam Research Corporation|Plasma processor with coil having variable rf coupling|

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US8828182B2|2010-02-12|2014-09-09|Applied Materials, Inc.|Process chamber gas flow improvements|

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US20120152900A1|2010-12-20|2012-06-21|Applied Materials, Inc.|Methods and apparatus for gas delivery into plasma processing chambers|

US9312155B2|2011-06-06|2016-04-12|Asm Japan K.K.|High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules|

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US10854498B2|2011-07-15|2020-12-01|Asm Ip Holding B.V.|Wafer-supporting device and method for producing same|

US9947512B2|2011-10-25|2018-04-17|Lam Research Corporation|Window and mounting arrangement for twist-and-lock gas injector assembly of inductively coupled plasma chamber|

US9017481B1|2011-10-28|2015-04-28|Asm America, Inc.|Process feed management for semiconductor substrate processing|

US9574268B1|2011-10-28|2017-02-21|Asm America, Inc.|Pulsed valve manifold for atomic layer deposition|

US9388492B2|2011-12-27|2016-07-12|Asm America, Inc.|Vapor flow control apparatus for atomic layer deposition|

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US9162236B2|2012-04-26|2015-10-20|Applied Materials, Inc.|Proportional and uniform controlled gas flow delivery for dry plasma etch apparatus|

US9840778B2|2012-06-01|2017-12-12|Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.|Plasma chamber having an upper electrode having controllable valves and a method of using the same|

US9388494B2|2012-06-25|2016-07-12|Novellus Systems, Inc.|Suppression of parasitic deposition in a substrate processing system by suppressing precursor flow and plasma outside of substrate region|

US20140026816A1|2012-07-27|2014-01-30|Applied Materials, Inc.|Multi-zone quartz gas distribution apparatus|

US9659799B2|2012-08-28|2017-05-23|Asm Ip Holding B.V.|Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling|

US9021985B2|2012-09-12|2015-05-05|Asm Ip Holdings B.V.|Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor|

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US8669538B1|2013-03-12|2014-03-11|Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.|Method of improving ion beam quality in an implant system|

US9275869B2|2013-08-02|2016-03-01|Lam Research Corporation|Fast-gas switching for etching|

US9240412B2|2013-09-27|2016-01-19|Asm Ip Holding B.V.|Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process|

US10683571B2|2014-02-25|2020-06-16|Asm Ip Holding B.V.|Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same|

US10167557B2|2014-03-18|2019-01-01|Asm Ip Holding B.V.|Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same|

US11015245B2|2014-03-19|2021-05-25|Asm Ip Holding B.V.|Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof|

US10249511B2|2014-06-27|2019-04-02|Lam Research Corporation|Ceramic showerhead including central gas injector for tunable convective-diffusive gas flow in semiconductor substrate processing apparatus|

US10858737B2|2014-07-28|2020-12-08|Asm Ip Holding B.V.|Showerhead assembly and components thereof|

US9890456B2|2014-08-21|2018-02-13|Asm Ip Holding B.V.|Method and system for in situ formation of gas-phase compounds|

US9793096B2|2014-09-12|2017-10-17|Lam Research Corporation|Systems and methods for suppressing parasitic plasma and reducing within-wafer non-uniformity|

US9657845B2|2014-10-07|2017-05-23|Asm Ip Holding B.V.|Variable conductance gas distribution apparatus and method|

US10941490B2|2014-10-07|2021-03-09|Asm Ip Holding B.V.|Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same|

KR102263121B1|2014-12-22|2021-06-09|에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.|반도체 소자 및 그 제조 방법|

US10529542B2|2015-03-11|2020-01-07|Asm Ip Holdings B.V.|Cross-flow reactor and method|

US10276355B2|2015-03-12|2019-04-30|Asm Ip Holding B.V.|Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same|

US10458018B2|2015-06-26|2019-10-29|Asm Ip Holding B.V.|Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same|

US10600673B2|2015-07-07|2020-03-24|Asm Ip Holding B.V.|Magnetic susceptor to baseplate seal|

US10083836B2|2015-07-24|2018-09-25|Asm Ip Holding B.V.|Formation of boron-doped titanium metal films with high work function|

US10957561B2|2015-07-30|2021-03-23|Lam Research Corporation|Gas delivery system|

US9837286B2|2015-09-04|2017-12-05|Lam Research Corporation|Systems and methods for selectively etching tungsten in a downstream reactor|

US9960072B2|2015-09-29|2018-05-01|Asm Ip Holding B.V.|Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings|

US10192751B2|2015-10-15|2019-01-29|Lam Research Corporation|Systems and methods for ultrahigh selective nitride etch|

US10211308B2|2015-10-21|2019-02-19|Asm Ip Holding B.V.|NbMC layers|

US10322384B2|2015-11-09|2019-06-18|Asm Ip Holding B.V.|Counter flow mixer for process chamber|

US11139308B2|2015-12-29|2021-10-05|Asm Ip Holding B.V.|Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices|

US10825659B2|2016-01-07|2020-11-03|Lam Research Corporation|Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector|

US10651015B2|2016-02-12|2020-05-12|Lam Research Corporation|Variable depth edge ring for etch uniformity control|

US10147588B2|2016-02-12|2018-12-04|Lam Research Corporation|System and method for increasing electron density levels in a plasma of a substrate processing system|

US10699878B2|2016-02-12|2020-06-30|Lam Research Corporation|Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring|

US10438833B2|2016-02-16|2019-10-08|Lam Research Corporation|Wafer lift ring system for wafer transfer|

US10468251B2|2016-02-19|2019-11-05|Asm Ip Holding B.V.|Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning|

US10529554B2|2016-02-19|2020-01-07|Asm Ip Holding B.V.|Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches|

US10501866B2|2016-03-09|2019-12-10|Asm Ip Holding B.V.|Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system|

US9758868B1|2016-03-10|2017-09-12|Lam Research Corporation|Plasma suppression behind a showerhead through the use of increased pressure|

US10343920B2|2016-03-18|2019-07-09|Asm Ip Holding B.V.|Aligned carbon nanotubes|

US9892913B2|2016-03-24|2018-02-13|Asm Ip Holding B.V.|Radial and thickness control via biased multi-port injection settings|

US10190213B2|2016-04-21|2019-01-29|Asm Ip Holding B.V.|Deposition of metal borides|

US10865475B2|2016-04-21|2020-12-15|Asm Ip Holding B.V.|Deposition of metal borides and silicides|

US10367080B2|2016-05-02|2019-07-30|Asm Ip Holding B.V.|Method of forming a germanium oxynitride film|

US10032628B2|2016-05-02|2018-07-24|Asm Ip Holding B.V.|Source/drain performance through conformal solid state doping|

KR20170129475A|2016-05-17|2017-11-27|에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.|금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법|

US10662527B2|2016-06-01|2020-05-26|Asm Ip Holding B.V.|Manifolds for uniform vapor deposition|

KR20170143068A|2016-06-17|2017-12-29|삼성전자주식회사|플라즈마 처리 장치|

US10388509B2|2016-06-28|2019-08-20|Asm Ip Holding B.V.|Formation of epitaxial layers via dislocation filtering|

US10612137B2|2016-07-08|2020-04-07|Asm Ip Holdings B.V.|Organic reactants for atomic layer deposition|

US9859151B1|2016-07-08|2018-01-02|Asm Ip Holding B.V.|Selective film deposition method to form air gaps|

US10714385B2|2016-07-19|2020-07-14|Asm Ip Holding B.V.|Selective deposition of tungsten|

KR102354490B1|2016-07-27|2022-01-21|에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.|기판 처리 방법|

KR20180013034A|2016-07-28|2018-02-07|에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.|기판 가공 장치 및 그 동작 방법|

US10395919B2|2016-07-28|2019-08-27|Asm Ip Holding B.V.|Method and apparatus for filling a gap|

US9887082B1|2016-07-28|2018-02-06|Asm Ip Holding B.V.|Method and apparatus for filling a gap|

US10410832B2|2016-08-19|2019-09-10|Lam Research Corporation|Control of on-wafer CD uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment|

US10410943B2|2016-10-13|2019-09-10|Asm Ip Holding B.V.|Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems|

US10643826B2|2016-10-26|2020-05-05|Asm Ip Holdings B.V.|Methods for thermally calibrating reaction chambers|

US10714350B2|2016-11-01|2020-07-14|ASM IP Holdings, B.V.|Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures|

US10229833B2|2016-11-01|2019-03-12|Asm Ip Holding B.V.|Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures|

US10435790B2|2016-11-01|2019-10-08|Asm Ip Holding B.V.|Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap|

US10643904B2|2016-11-01|2020-05-05|Asm Ip Holdings B.V.|Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures|

US10134757B2|2016-11-07|2018-11-20|Asm Ip Holding B.V.|Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method|

KR20180054366A|2016-11-15|2018-05-24|에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.|기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치|

US10340135B2|2016-11-28|2019-07-02|Asm Ip Holding B.V.|Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride|

KR20180068582A|2016-12-14|2018-06-22|에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.|기판 처리 장치|

KR20180070971A|2016-12-19|2018-06-27|에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.|기판 처리 장치|

US10269558B2|2016-12-22|2019-04-23|Asm Ip Holding B.V.|Method of forming a structure on a substrate|

US10867788B2|2016-12-28|2020-12-15|Asm Ip Holding B.V.|Method of forming a structure on a substrate|

US10655221B2|2017-02-09|2020-05-19|Asm Ip Holding B.V.|Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD|

US10468261B2|2017-02-15|2019-11-05|Asm Ip Holding B.V.|Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures|

US10283353B2|2017-03-29|2019-05-07|Asm Ip Holding B.V.|Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern|

US10529563B2|2017-03-29|2020-01-07|Asm Ip Holdings B.V.|Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures|

KR20180119477A|2017-04-25|2018-11-02|에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.|박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법|

US10446393B2|2017-05-08|2019-10-15|Asm Ip Holding B.V.|Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures|

US10892156B2|2017-05-08|2021-01-12|Asm Ip Holding B.V.|Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures|

US10770286B2|2017-05-08|2020-09-08|Asm Ip Holdings B.V.|Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures|

US10504742B2|2017-05-31|2019-12-10|Asm Ip Holding B.V.|Method of atomic layer etching using hydrogen plasma|

US10886123B2|2017-06-02|2021-01-05|Asm Ip Holding B.V.|Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures|

US10685834B2|2017-07-05|2020-06-16|Asm Ip Holdings B.V.|Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures|

KR20190009245A|2017-07-18|2019-01-28|에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.|반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물|

US11018002B2|2017-07-19|2021-05-25|Asm Ip Holding B.V.|Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures|

US10541333B2|2017-07-19|2020-01-21|Asm Ip Holding B.V.|Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures|

US10590535B2|2017-07-26|2020-03-17|Asm Ip Holdings B.V.|Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same|

US10312055B2|2017-07-26|2019-06-04|Asm Ip Holding B.V.|Method of depositing film by PEALD using negative bias|

US10605530B2|2017-07-26|2020-03-31|Asm Ip Holding B.V.|Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace|

US20190032211A1|2017-07-28|2019-01-31|Lam Research Corporation|Monolithic ceramic gas distribution plate|

US10692741B2|2017-08-08|2020-06-23|Asm Ip Holdings B.V.|Radiation shield|

US10770336B2|2017-08-08|2020-09-08|Asm Ip Holding B.V.|Substrate lift mechanism and reactor including same|

US10249524B2|2017-08-09|2019-04-02|Asm Ip Holding B.V.|Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly|

US11139191B2|2017-08-09|2021-10-05|Asm Ip Holding B.V.|Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith|

US10236177B1|2017-08-22|2019-03-19|ASM IP Holding B.V..|Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures|

US11056344B2|2017-08-30|2021-07-06|Asm Ip Holding B.V.|Layer forming method|

KR20190023920A|2017-08-30|2019-03-08|에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.|기판 처리 장치|

US10607895B2|2017-09-18|2020-03-31|Asm Ip Holdings B.V.|Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal|

KR20190033455A|2017-09-21|2019-03-29|에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.|침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치|

US10844484B2|2017-09-22|2020-11-24|Asm Ip Holding B.V.|Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods|

US10658205B2|2017-09-28|2020-05-19|Asm Ip Holdings B.V.|Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber|

US20190103295A1|2017-09-29|2019-04-04|Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.|Integrated Circuit Fabrication System with Adjustable Gas Injector|

US10403504B2|2017-10-05|2019-09-03|Asm Ip Holding B.V.|Method for selectively depositing a metallic film on a substrate|

US11077410B2|2017-10-09|2021-08-03|Applied Materials, Inc.|Gas injector with baffle|

US10319588B2|2017-10-10|2019-06-11|Asm Ip Holding B.V.|Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition|

US10923344B2|2017-10-30|2021-02-16|Asm Ip Holding B.V.|Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures|

KR20190056158A|2017-11-16|2019-05-24|에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.|기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치|

US10910262B2|2017-11-16|2021-02-02|Asm Ip Holding B.V.|Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure|

US11022879B2|2017-11-24|2021-06-01|Asm Ip Holding B.V.|Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer|

CN111316417A|2017-11-27|2020-06-19|阿斯莫Ip控股公司|与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置|

US10290508B1|2017-12-05|2019-05-14|Asm Ip Holding B.V.|Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning|

US10872771B2|2018-01-16|2020-12-22|Asm Ip Holding B. V.|Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures|

US11018047B2|2018-01-25|2021-05-25|Asm Ip Holding B.V.|Hybrid lift pin|

US10535516B2|2018-02-01|2020-01-14|Asm Ip Holdings B.V.|Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures|

US11081345B2|2018-02-06|2021-08-03|Asm Ip Holding B.V.|Method of post-deposition treatment for silicon oxide film|

US10896820B2|2018-02-14|2021-01-19|Asm Ip Holding B.V.|Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process|

US10731249B2|2018-02-15|2020-08-04|Asm Ip Holding B.V.|Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus|

US10658181B2|2018-02-20|2020-05-19|Asm Ip Holding B.V.|Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication|

US10975470B2|2018-02-23|2021-04-13|Asm Ip Holding B.V.|Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment|

US11114283B2|2018-03-16|2021-09-07|Asm Ip Holding B.V.|Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same|

KR20190113580A|2018-03-27|2019-10-08|에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.|기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조|

US11230766B2|2018-03-29|2022-01-25|Asm Ip Holding B.V.|Substrate processing apparatus and method|

US11088002B2|2018-03-29|2021-08-10|Asm Ip Holding B.V.|Substrate rack and a substrate processing system and method|

US10510536B2|2018-03-29|2019-12-17|Asm Ip Holding B.V.|Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber|

KR20190114682A|2018-03-30|2019-10-10|에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.|기판 처리 방법|

KR20190129718A|2018-05-11|2019-11-20|에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.|기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조|

US10797133B2|2018-06-21|2020-10-06|Asm Ip Holding B.V.|Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures|

US10612136B2|2018-06-29|2020-04-07|ASM IP Holding, B.V.|Temperature-controlled flange and reactor system including same|

KR20200002519A|2018-06-29|2020-01-08|에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.|박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법|

US10755922B2|2018-07-03|2020-08-25|Asm Ip Holding B.V.|Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition|

US10388513B1|2018-07-03|2019-08-20|Asm Ip Holding B.V.|Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition|

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US10483099B1|2018-07-26|2019-11-19|Asm Ip Holding B.V.|Method for forming thermally stable organosilicon polymer film|

US11053591B2|2018-08-06|2021-07-06|Asm Ip Holding B.V.|Multi-port gas injection system and reactor system including same|

US10883175B2|2018-08-09|2021-01-05|Asm Ip Holding B.V.|Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein|

US10829852B2|2018-08-16|2020-11-10|Asm Ip Holding B.V.|Gas distribution device for a wafer processing apparatus|

US11024523B2|2018-09-11|2021-06-01|Asm Ip Holding B.V.|Substrate processing apparatus and method|

US11049751B2|2018-09-14|2021-06-29|Asm Ip Holding B.V.|Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith|

US11232963B2|2018-10-03|2022-01-25|Asm Ip Holding B.V.|Substrate processing apparatus and method|

US10847365B2|2018-10-11|2020-11-24|Asm Ip Holding B.V.|Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD|

US10811256B2|2018-10-16|2020-10-20|Asm Ip Holding B.V.|Method for etching a carbon-containing feature|

KR20200045067A|2018-10-19|2020-05-04|에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.|기판 처리 장치 및 기판 처리 방법|

US10381219B1|2018-10-25|2019-08-13|Asm Ip Holding B.V.|Methods for forming a silicon nitride film|

US11087997B2|2018-10-31|2021-08-10|Asm Ip Holding B.V.|Substrate processing apparatus for processing substrates|

US11031242B2|2018-11-07|2021-06-08|Asm Ip Holding B.V.|Methods for depositing a boron doped silicon germanium film|

US10818758B2|2018-11-16|2020-10-27|Asm Ip Holding B.V.|Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures|

US10847366B2|2018-11-16|2020-11-24|Asm Ip Holding B.V.|Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process|

US10559458B1|2018-11-26|2020-02-11|Asm Ip Holding B.V.|Method of forming oxynitride film|

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法律状态:

优先权:

申请号 | 申请日 | 专利标题

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